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首页 全部分类 FDZ193P vs IRLML6402TRPBF

FDZ193P备选型号: IRLML6402TRPBF

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  • 端子表面处理
  • 端子位置
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  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 辐射硬化
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • 触点镀层
  • 制造商包装标识符
  • 终端
  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 通道数量
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 双电源电压
  • 最大结点温度（Tj）
  • ON Semiconductor
    FDZ193P
    ON Semiconductor
    MOSFET MFET-20V P-CH 1.7V PowerTrench WL-CSP
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-UFBGA, WLCSP
    6
    54mg
    SILICON
    3A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2016
    PowerTrench®
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    90MOhm
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    BOTTOM
    BALL
    Single
    增强型MOSFET
    1.5W
    13 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    90m Ω @ 1A, 4.5V
    1.5V @ 250μA
    660pF @ 10V
    10nC @ 10V
    10ns
    20V
    ±12V
    10 ns
    -3A
    -900mV
    12V
    3A
    -20V
    -900 mV
    650μm
    1mm
    1.5mm
    ROHS3 Compliant
    无
    无SVHC
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRLML6402TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT-23
    -
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    3
    -
    SILICON
    3.7A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2005
    HEXFET®
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    65mOhm
    -
    DUAL
    鸥翼
    Single
    增强型MOSFET
    1.3W
    350 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    65m Ω @ 3.7A, 4.5V
    1.2V @ 250μA
    633pF @ 10V
    12nC @ 5V
    48ns
    20V
    ±12V
    381 ns
    -3.7A
    -550mV
    12V
    -
    -20V
    -550 mV
    1.12mm
    3.0226mm
    1.397mm
    ROHS3 Compliant
    无
    无SVHC
    无铅
    Tin
    Micro3
    SMD/SMT
    HIGH RELIABILITY
    -20V
    260
    -3.7A
    30
    1
    22A
    -20V
    150°C
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IRLML6402TRPBF IRLML6402TRPBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT-23 对比