Infineon Technologies IRLML6402TRPBF

工厂交货时间

12 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

制造商包装标识符

Micro3

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

3.7A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V 4.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

1.3W Ta

Turn Off Delay Time

588 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®

已出版

2005

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

终端

SMD/SMT

ECCN 代码

EAR99

电阻

65mOhm

附加功能

HIGH RELIABILITY

电压 - 额定直流

-20V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

-3.7A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.3W

接通延迟时间

350 ns

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

65m Ω @ 3.7A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.2V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

633pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

12nC @ 5V

上升时间

48ns

漏源电压 (Vdss)

20V

Vgs（最大值）

±12V

下降时间（典型值）

381 ns

连续放电电流(ID)

-3.7A

阈值电压

-550mV

栅极至源极电压(Vgs)

12V

漏源击穿电压

-20V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

22A

双电源电压

-20V

最大结点温度（Tj）

150°C

栅源电压

-550 mV

高度

1.12mm

长度

3.0226mm

宽度

1.397mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅