FDZ391P备选型号: FDZ197PZ
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 长度
- 高度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 漏源电压 (Vdss)
- 栅源电压
- 反馈上限-最大值 (Crss)
- 达到SVHC
- MOSFET P-CH 20V 3A 6-WLCSP10 Weeks表面贴装表面贴装6-XFBGA, WLCSP664mgSILICON11.5V @ 250μA-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®e1yesACTIVE (Last Updated: 1 week ago)1 (Unlimited)6EAR99Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)BOTTOMBALLSingle增强型MOSFET1.9W11 nsP-ChannelSWITCHING85m Ω @ 1A, 4.5V1065pF @ 10V13nC @ 4.5V10ns±8V10 ns-3A8V3A0.2Ohm20V1mm400μm1.5mm无ROHS3 Compliant----
- MOSFET P-CH 20V 3.8A 6-WLCSP-表面贴装表面贴装6-UFBGA, WLCSP654mgSILICON1.9W Ta1V @ 250μA-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®e1yesObsolete1 (Unlimited)6EAR99Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)BOTTOMBALLSingle增强型MOSFET1.9W5.8 nsP-ChannelSWITCHING64m Ω @ 2A, 4.5V1570pF @ 10V25nC @ 4.5V5.9ns±8V280 ns-3.8A8V---20V1mm650μm1.5mm无ROHS3 Compliant20V-500 mV225 pF无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FDZ197PZ | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 6-UFBGA, WLCSP | MOSFET P-CH 20V 3.8A 6-WLCSP | 对比 |
| FDC634P | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | MOSFET P-CH 20V 3.5A SSOT-6 | 对比 |



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