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首页 全部分类 FDZ661PZ vs FDZ663P

FDZ661PZ备选型号: FDZ663P

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  • 安装类型
  • 包装/外壳
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  • 系列
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    FDZ661PZ
    ON Semiconductor
    MOSFET PCh 1.5 V SPECIFIED PowerTrench MOSFET
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    4-XFBGA, WLCSP
    4
    67mg
    SILICON
    2.6A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2006
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    BOTTOM
    BALL
    Single
    增强型MOSFET
    1.3W
    4.9 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    140m Ω @ 2A, 4.5V
    1.2V @ 250μA
    555pF @ 10V
    8.8nC @ 4.5V
    6.3ns
    20V
    ±8V
    33 ns
    2.6A
    8V
    -20V
    70 pF
    150μm
    800μm
    800μm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
  • ON Semiconductor
    FDZ663P
    ON Semiconductor
    MOSFET PCh 1.5 V SPECIFIED PowerTrench MOSFET
    -
    -
    表面贴装
    表面贴装
    4-XFBGA, WLCSP
    4
    67mg
    SILICON
    2.7A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    -
    e1
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    BOTTOM
    BALL
    Single
    增强型MOSFET
    1.3W
    4.8 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    134m Ω @ 2A, 4.5V
    1.2V @ 250μA
    525pF @ 10V
    8.2nC @ 4.5V
    6.2ns
    20V
    ±8V
    32 ns
    2.7A
    8V
    -20V
    80 pF
    150μm
    800μm
    800μm
    无
    符合RoHS标准
    无铅
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