ON Semiconductor FDFMA2P859T

包装/外壳

6-UDFN Exposed Pad

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

引脚数

6

质量

40mg

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

3A Ta

Turn Off Delay Time

15 ns

Power Dissipation (Max)

1.4W Ta

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V 4.5V

系列

PowerTrench®

包装

Digi-Reel®

操作温度

-55°C~150°C TJ

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

元素配置

Single

功率耗散

1.4W

接通延迟时间

9 ns

场效应管类型

P-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

120m Ω @ 3A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.3V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

435pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

6nC @ 4.5V

上升时间

11ns

漏源电压 (Vdss)

20V

Vgs（最大值）

±8V

下降时间（典型值）

6 ns

连续放电电流(ID)

-3A

栅极至源极电压(Vgs)

8V

漏源击穿电压

-20V

场效应管特性

Schottky Diode (Isolated)

RoHS状态

符合RoHS标准

辐射硬化

无