FF1400R17IP4BOSA1备选型号: BSM50GB60DLCHOSA1
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- 晶体管元件材料
- Collector-Emitter Saturation Voltage
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
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- 端子位置
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- 配置
- 元素配置
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- 箱体转运
- 功率 - 最大
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 输入
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集极截止电流
- 电压 - 集射极击穿(最大值)
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- 关断时间-标准值(toff)
- IGBT类型
- NTC热敏电阻
- 输入电容(Cies)@Vce
- RoHS状态
- 无铅
- 最大功率耗散
- JESD-30代码
- 无卤素
- 最大集电极电流
- 高度
- 长度
- 宽度
- IGBT MODULE 1700V 1400A50 WeeksScrew底座安装Module12SILICON2.2V1400A-40°C~150°CPrimePACK™32002no活跃1 (Unlimited)12EAR99UPPERUNSPECIFIED未说明未说明12不合格2 IndependentDual9.55kWISOLATED955000W电源控制N-CHANNELStandard1.7kV5mA1700V1030 ns2.2V @ 15V, 1400A2190 ns沟渠现场停车有110nF @ 25V符合RoHS标准无铅-------
- IGBT MODULE 600V 75A 280W14 WeeksScrew底座安装Module34SILICON2.2V600V-40°C~125°C--no最后一次购买1 (Unlimited)7EAR99UPPERUNSPECIFIED--7-SingleDual-ISOLATED280W-N-CHANNELStandard600V500μA-52 ns2.45V @ 15V, 50A151 ns-无2.2nF @ 25V符合RoHS标准无铅280WR-XUFM-X7不含卤素75A30.5mm94mm34mm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FMG2G75US60 | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 模块 | 7PM-GA | IGBT MODULE 600V 75A 310W 7PMGA | 对比 | |
![]() | BSM75GB60DLCHOSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 模块 | Module | IGBT MOD 600V 100A 355W | 对比 |
| FMG2G50US60 | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 模块 | 7PM-GA | IGBT MODULE 600V 50A 250W 7PMGA | 对比 |




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