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首页 全部分类 FF200R12KT3HOSA1 vs BSM200GB60DLCHOSA1

FF200R12KT3HOSA1备选型号: BSM200GB60DLCHOSA1

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  • 元素配置
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  • 极性/通道类型
  • 输入
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最大集极截止电流
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
  • 接通时间
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
  • 关断时间-标准值（toff)
  • IGBT类型
  • NTC热敏电阻
  • 输入电容(Cies)@Vce
  • RoHS状态
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 已出版
  • 最大功率耗散
  • JESD-30代码
  • 功率耗散
  • 无卤素
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    FF200R12KT3HOSA1
    Infineon Technologies
    IGBT MODULE 1200V 1050W
    14 Weeks
    Screw
    底座安装
    Module
    7
    SILICON
    2
    -40°C~125°C
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    7
    EAR99
    UPPER
    UNSPECIFIED
    7
    2 Independent
    Dual
    ISOLATED
    1050W
    电源控制
    N-CHANNEL
    Standard
    1.2kV
    295A
    5mA
    1200V
    215 ns
    2.15V @ 15V, 200A
    680 ns
    沟渠现场停车
    无
    14nF @ 25V
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BSM200GB60DLCHOSA1
    Infineon Technologies
    IGBT MOD 600V 230A 730W
    14 Weeks
    Screw
    底座安装
    Module
    34
    SILICON
    600V
    -40°C~125°C
    no
    最后一次购买
    1 (Unlimited)
    7
    EAR99
    UPPER
    UNSPECIFIED
    7
    Single
    Dual
    ISOLATED
    730W
    -
    N-CHANNEL
    Standard
    600V
    230A
    500μA
    -
    229 ns
    2.45V @ 15V, 200A
    326 ns
    -
    无
    9nF @ 25V
    符合RoHS标准
    1.95V
    2000
    445W
    R-XUFM-X7
    445W
    不含卤素
    30.5mm
    94mm
    34mm
    无铅
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