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首页 全部分类 FF300R12KE3HOSA1 vs APTGT400DU120G

FF300R12KE3HOSA1备选型号: APTGT400DU120G

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  • 元素配置
  • 功率耗散
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  • 晶体管应用
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  • 输入
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  • 最大集电极电流
  • 最大集极截止电流
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
  • 接通时间
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
  • 关断时间-标准值（toff)
  • IGBT类型
  • NTC热敏电阻
  • 输入电容(Cies)@Vce
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • JESD-609代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 输入电容
  • Infineon Technologies
    FF300R12KE3HOSA1
    Infineon Technologies
    IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 440 A, 1.7 V, 1.45 kW, 1.2 kV, Module
    14 Weeks
    Tin
    Screw
    底座安装
    Module
    7
    SILICON
    1.2kV
    1.7V
    -40°C~125°C
    2002
    yes
    活跃
    不适用
    7
    EAR99
    1.45kW
    UPPER
    UNSPECIFIED
    7
    2 Independent
    Dual
    1.45kW
    ISOLATED
    1450W
    电源控制
    N-CHANNEL
    Standard
    1.2kV
    480A
    5mA
    1200V
    400 ns
    2.15V @ 15V, 300A
    830 ns
    沟渠现场停车
    无
    21nF @ 25V
    30.9mm
    106.4mm
    61.4mm
    无SVHC
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
  • Microsemi Corporation
    APTGT400DU120G
    Microsemi Corporation
    IGBT MODULE 1200V 560A 1785W SP6
    36 Weeks
    -
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    SP6
    7
    SILICON
    1.2kV
    -
    -40°C~150°C TJ
    -
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    7
    EAR99
    1.785kW
    UPPER
    UNSPECIFIED
    7
    Dual, Common Source
    Dual
    -
    ISOLATED
    1785W
    电源控制
    N-CHANNEL
    Standard
    1.2kV
    560A
    750μA
    1200V
    340 ns
    2.1V @ 15V, 400A
    610 ns
    沟渠现场停车
    无
    28nF @ 25V
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    e1
    锡银铜
    雪崩 额定
    28nF
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