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首页 全部分类 FF450R17ME3BOSA1 vs APTGT400DU120G

FF450R17ME3BOSA1备选型号: APTGT400DU120G

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  • 关断时间-标准值（toff)
  • IGBT类型
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  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • JESD-609代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 最大功率耗散
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 输入电容
  • Infineon Technologies
    FF450R17ME3BOSA1
    Infineon Technologies
    IGBT MOD 1700V 605A 2250W
    Screw
    底座安装
    Module
    11
    SILICON
    1
    -40°C~125°C
    EconoDUAL™ 3
    2002
    no
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    11
    EAR99
    UPPER
    UNSPECIFIED
    未说明
    未说明
    11
    不合格
    半桥逆变器
    Dual
    2250W
    不含卤素
    N-CHANNEL
    Standard
    1.7kV
    605A
    3mA
    1700V
    400 ns
    2.45V @ 15V, 450A
    1300 ns
    沟渠现场停车
    有
    40.5nF @ 25V
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Microsemi Corporation
    APTGT400DU120G
    Microsemi Corporation
    IGBT MODULE 1200V 560A 1785W SP6
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    SP6
    7
    SILICON
    1.2kV
    -40°C~150°C TJ
    -
    -
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    7
    EAR99
    UPPER
    UNSPECIFIED
    -
    -
    7
    -
    Dual, Common Source
    Dual
    1785W
    -
    N-CHANNEL
    Standard
    1.2kV
    560A
    750μA
    1200V
    340 ns
    2.1V @ 15V, 400A
    610 ns
    沟渠现场停车
    无
    28nF @ 25V
    符合RoHS标准
    -
    36 Weeks
    e1
    锡银铜
    雪崩 额定
    1.785kW
    ISOLATED
    电源控制
    28nF
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