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首页 全部分类 FF600R12IS4F vs FS450R12KE3BOSA1

FF600R12IS4F备选型号: FS450R12KE3BOSA1

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  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
  • 元素配置
  • 箱体转运
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  • 无卤素
  • 极性/通道类型
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  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最大集极截止电流
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
  • 最大耗散功率(Abs)
  • 接通时间
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
  • 关断时间-标准值（toff)
  • NTC热敏电阻
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 输入电容(Cies)@Vce
  • VCEsat-最大值
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 最大功率耗散
  • 功率耗散
  • IGBT类型
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • Infineon Technologies
    FF600R12IS4F
    Infineon Technologies
    Trans IGBT Module N-CH 1.2KV 600A 10-pin PRIME2-1
    52 Weeks
    Module
    底座安装
    Screw
    10
    SILICON
    2
    -40°C~125°C
    2013
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    7
    EAR99
    UPPER
    UNSPECIFIED
    未说明
    未说明
    11
    R-XUFM-X7
    不合格
    2 Independent
    Dual
    ISOLATED
    3700W
    电源控制
    不含卤素
    N-CHANNEL
    Standard
    1.2kV
    600A
    5mA
    1200V
    3700W
    270 ns
    3.75V @ 15V, 600A
    630 ns
    有
    20V
    39nF @ 25V
    3.75 V
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    FS450R12KE3BOSA1
    Infineon Technologies
    IGBT MOD 1200V 600A 2100W
    14 Weeks
    Module
    底座安装
    Screw
    29
    SILICON
    1.2kV
    -40°C~125°C TJ
    2002
    no
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    29
    EAR99
    UPPER
    UNSPECIFIED
    未说明
    未说明
    29
    -
    不合格
    三相逆变器
    -
    ISOLATED
    2100W
    -
    不含卤素
    N-CHANNEL
    Standard
    1.2kV
    600A
    5mA
    1200V
    -
    400 ns
    2.15V @ 15V, 450A
    810 ns
    有
    -
    32nF @ 25V
    -
    ROHS3 Compliant
    含铅
    Tin
    2.15V
    2.1kW
    2.1kW
    沟渠现场停车
    17mm
    162mm
    150mm
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