Infineon Technologies FF600R12IS4F
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FF600R12IS4F
1211-FF600R12IS4F
晶体管 - IGBT - 模块
Module
大陆
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Trans IGBT Module N-CH 1.2KV 600A 10-pin PRIME2-1
--最小包装量--
FF600R12IS4F详情
Infineon Technologies FF600R12IS4F重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
52 Weeks
包装/外壳
Module
安装类型
底座安装
底架
Screw
引脚数
10
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
2
操作温度
-40°C~125°C
已出版
2013
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
7
ECCN 代码
EAR99
端子位置
UPPER
终端形式
UNSPECIFIED
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
11
JESD-30代码
R-XUFM-X7
资历状况
不合格
配置
2 Independent
元素配置
Dual
箱体转运
ISOLATED
功率 - 最大
3700W
晶体管应用
电源控制
无卤素
不含卤素
极性/通道类型
N-CHANNEL
输入
Standard
集电极发射器电压(VCEO)
1.2kV
最大集电极电流
600A
最大集极截止电流
5mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
1200V
最大耗散功率(Abs)
3700W
接通时间
270 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
3.75V @ 15V, 600A
关断时间-标准值(toff)
630 ns
NTC热敏电阻
有
栅极-发射极电压-最大值
20V
输入电容(Cies)@Vce
39nF @ 25V
VCEsat-最大值
3.75 V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
含铅
FF600R12IS4F拓展信息
Infineon Technologies
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