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首页 全部分类 FF800R12KF4 vs APTGT35X120T3G

FF800R12KF4备选型号: APTGT35X120T3G

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  • 栅极-发射极电压-最大值
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  • VCEsat-最大值
  • RoHS状态
  • 包装
  • JESD-609代码
  • 端子表面处理
  • 最大功率耗散
  • JESD-30代码
  • 晶体管应用
  • 输入电容
  • IGBT类型
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    FF800R12KF4
    Infineon Technologies
    Trans IGBT Module N-CH 1.2KV 800A 10-pin IHM130-2
    36 Weeks
    Screw
    底座安装
    Module
    10
    SILICON
    1.2kV
    2.7V
    -40°C~125°C
    2012
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    10
    EAR99
    UPPER
    UNSPECIFIED
    10
    2 Independent
    Dual
    5kW
    ISOLATED
    5000W
    N-CHANNEL
    Standard
    1.2kV
    800A
    16mA
    1200V
    800 ns
    3.2V @ 15V, 800A
    1150 ns
    无
    20V
    55nF @ 25V
    3.2 V
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Microsemi Corporation
    APTGT35X120T3G
    Microsemi Corporation
    Trans IGBT Module N-CH 1.2KV 55A 32-Pin Case SP-3
    36 Weeks
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    SP3
    32
    SILICON
    1.2kV
    -
    -40°C~150°C TJ
    2012
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    25
    EAR99
    UPPER
    UNSPECIFIED
    25
    三相逆变器
    -
    -
    ISOLATED
    208W
    N-CHANNEL
    Standard
    1.2kV
    55A
    250μA
    1200V
    140 ns
    2.1V @ 15V, 35A
    610 ns
    有
    20V
    2.5nF @ 25V
    2.1 V
    符合RoHS标准
    Bulk
    e1
    锡银铜
    208W
    R-XUFM-X25
    MOTOR CONTROL
    2.5nF
    沟渠现场停车
    无
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