Infineon Technologies FF800R12KF4
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FF800R12KF4
1211-FF800R12KF4
晶体管 - IGBT - 模块
Module
大陆
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Trans IGBT Module N-CH 1.2KV 800A 10-pin IHM130-2
--最小包装量--
FF800R12KF4详情
Infineon Technologies FF800R12KF4重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
36 Weeks
底架
Screw
安装类型
底座安装
包装/外壳
Module
引脚数
10
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
1.2kV
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.7V
Number of Elements
2
操作温度
-40°C~125°C
已出版
2012
无铅代码
no
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
10
ECCN 代码
EAR99
端子位置
UPPER
终端形式
UNSPECIFIED
引脚数量
10
配置
2 Independent
元素配置
Dual
功率耗散
5kW
箱体转运
ISOLATED
功率 - 最大
5000W
极性/通道类型
N-CHANNEL
输入
Standard
集电极发射器电压(VCEO)
1.2kV
最大集电极电流
800A
最大集极截止电流
16mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
1200V
接通时间
800 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
3.2V @ 15V, 800A
关断时间-标准值(toff)
1150 ns
NTC热敏电阻
无
栅极-发射极电压-最大值
20V
输入电容(Cies)@Vce
55nF @ 25V
VCEsat-最大值
3.2 V
RoHS状态
符合RoHS标准
FF800R12KF4拓展信息
Infineon Technologies
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