FF800R12KF4备选型号: FF450R12KT4HOSA1
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- 箱体转运
- 功率 - 最大
- 极性/通道类型
- 输入
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最大集极截止电流
- 电压 - 集射极击穿(最大值)
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- 关断时间-标准值(toff)
- NTC热敏电阻
- 栅极-发射极电压-最大值
- 输入电容(Cies)@Vce
- VCEsat-最大值
- RoHS状态
- 系列
- 最大功率耗散
- 极性
- IGBT类型
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- Trans IGBT Module N-CH 1.2KV 800A 10-pin IHM130-236 WeeksScrew底座安装Module10SILICON1.2kV2.7V-40°C~125°C2012no活跃1 (Unlimited)10EAR99UPPERUNSPECIFIED102 IndependentDual5kWISOLATED5000WN-CHANNELStandard1.2kV800A16mA1200V800 ns3.2V @ 15V, 800A1150 ns无20V55nF @ 25V3.2 V符合RoHS标准--------
- IGBT MOD 1200V 580A 2400W14 WeeksPanel, Screw底座安装Module7-1.2kV2.1V-40°C~150°C TJ2002yes活跃1 (Unlimited)7EAR99UPPER-7半桥Dual2.4kWISOLATED2400W-Standard1.2kV580A5mA1200V230 ns2.15V @ 15V, 450A720 ns无-28nF @ 25V-ROHS3 CompliantC2.4kWNPN沟渠现场停车30.9mm106.4mm61.4mmUnknown
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FF900R12IE4BOSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 模块 | Module | IGBT MOD 1200V 900A 5100W | 对比 |
![]() | FS450R12KE3BOSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 模块 | Module | IGBT MOD 1200V 600A 2100W | 对比 |
![]() | APTGT35X120T3G | Microsemi Corporation | 晶体管 - IGBT - 模块 | SP3 | Trans IGBT Module N-CH 1.2KV 55A 32-Pin Case SP-3 | 对比 |







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