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首页 全部分类 FF800R17KE3NOSA1 vs FF900R12IE4BOSA1

FF800R17KE3NOSA1备选型号: FF900R12IE4BOSA1

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  • 最大集电极电流
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  • 接通时间
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
  • 关断时间-标准值（toff)
  • NTC热敏电阻
  • 输入电容(Cies)@Vce
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 系列
  • 最大功率耗散
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 资历状况
  • 功率耗散
  • 晶体管应用
  • IGBT类型
  • 达到SVHC
  • Infineon Technologies
    FF800R17KE3NOSA1
    Infineon Technologies
    IGBT MODULE VCES 1200V 800A
    36 Weeks
    Screw
    底座安装
    Module
    130
    SILICON
    2
    -40°C~125°C
    2002
    no
    不用于新设计
    不适用
    10
    EAR99
    UPPER
    UNSPECIFIED
    10
    R-XUFM-X10
    2 Independent
    Dual
    ISOLATED
    4450W
    不含卤素
    N-CHANNEL
    Standard
    1.7kV
    1.15kA
    5mA
    1700V
    900 ns
    2.45V @ 15V, 800A
    1900 ns
    无
    72nF @ 25V
    38mm
    140mm
    130mm
    Non-RoHS Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    FF900R12IE4BOSA1
    Infineon Technologies
    IGBT MOD 1200V 900A 5100W
    10 Weeks
    Screw
    底座安装
    Module
    10
    SILICON
    1.2kV
    -40°C~150°C TJ
    2002
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    7
    EAR99
    UPPER
    UNSPECIFIED
    11
    R-XUFM-X7
    Single
    Dual
    ISOLATED
    5100W
    -
    N-CHANNEL
    Standard
    1.2kV
    900A
    5mA
    1200V
    350 ns
    2.05V @ 15V, 900A
    940 ns
    有
    54nF @ 25V
    38mm
    172mm
    89mm
    ROHS3 Compliant
    -
    2.05V
    PrimePack™2
    5.1kW
    未说明
    未说明
    不合格
    5.1kW
    电源控制
    沟渠现场停车
    无SVHC
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