Infineon Technologies FF800R17KE3NOSA1
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FF800R17KE3NOSA1
1211-FF800R17KE3NOSA1
晶体管 - IGBT - 模块
Module
大陆
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IGBT MODULE VCES 1200V 800A
1最小包装量--
FF800R17KE3NOSA1详情
Infineon Technologies FF800R17KE3NOSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
36 Weeks
底架
Screw
安装类型
底座安装
包装/外壳
Module
引脚数
130
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
2
操作温度
-40°C~125°C
已出版
2002
无铅代码
no
零件状态
不用于新设计
湿度敏感性等级(MSL)
不适用
终止次数
10
ECCN 代码
EAR99
端子位置
UPPER
终端形式
UNSPECIFIED
引脚数量
10
JESD-30代码
R-XUFM-X10
配置
2 Independent
元素配置
Dual
箱体转运
ISOLATED
功率 - 最大
4450W
无卤素
不含卤素
极性/通道类型
N-CHANNEL
输入
Standard
集电极发射器电压(VCEO)
1.7kV
最大集电极电流
1.15kA
最大集极截止电流
5mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
1700V
接通时间
900 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.45V @ 15V, 800A
关断时间-标准值(toff)
1900 ns
NTC热敏电阻
无
输入电容(Cies)@Vce
72nF @ 25V
高度
38mm
长度
140mm
宽度
130mm
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
无铅
含铅
FF800R17KE3NOSA1拓展信息
Infineon Technologies
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