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首页 全部分类 FFB5551 vs RN1306,LF

FFB5551备选型号: RN1306,LF

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  • 转换频率
  • 最大击穿电压
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  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 已出版
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 频率转换
  • 电阻基(R1)
  • 连续集电极电流
  • 电阻-发射极基极(R2)
  • ON Semiconductor
    FFB5551
    ON Semiconductor
    Bipolar Transistors - BJT NPN MULTI-CHIP GEN PURPOSE
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    8 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    6
    28mg
    SILICON
    160V
    200mV
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Tin (Sn)
    160V
    200mW
    鸥翼
    200mA
    300MHz
    FFB5551
    NPN
    Dual
    200mW
    AMPLIFIER
    300MHz
    2 NPN (Dual)
    160V
    200mA
    80 @ 10mA 5V
    50nA ICBO
    200mV @ 5mA, 50mA
    100MHz
    160V
    180V
    6V
    1mm
    2mm
    1.25mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    RN1306,LF
    Toshiba Semiconductor and Storage
    Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 3-Pin USM Embossed T/R
    -
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SC-70, SOT-323
    3
    28.009329mg
    -
    50V
    -
    -
    Cut Tape (CT)
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    100mW
    -
    -
    -
    -
    NPN
    Single
    -
    -
    -
    NPN - Pre-Biased
    50V
    100mA
    80 @ 10mA 5V
    500nA
    300mV @ 250μA, 5mA
    -
    50V
    50V
    5V
    900μm
    2mm
    1.25mm
    -
    符合RoHS标准
    -
    2014
    150°C
    -55°C
    250MHz
    4.7 k Ω
    100mA
    47 k Ω
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