ON Semiconductor FFB5551

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

工厂交货时间

8 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

引脚数

6

质量

28mg

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

160V

Collector-Emitter Saturation Voltage

200mV

Number of Elements

2

hFEMin

80

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

160V

最大功率耗散

200mW

终端形式

鸥翼

额定电流

200mA

频率

300MHz

基本部件号

FFB5551

极性

NPN

元素配置

Dual

功率耗散

200mW

晶体管应用

AMPLIFIER

增益带宽积

300MHz

晶体管类型

2 NPN (Dual)

集电极发射器电压(VCEO)

160V

最大集电极电流

200mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

80 @ 10mA 5V

最大集极截止电流

50nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

200mV @ 5mA, 50mA

转换频率

100MHz

最大击穿电压

160V

集电极基极电压(VCBO)

180V

发射极基极电压 (VEBO)

6V

高度

1mm

长度

2mm

宽度

1.25mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅