FGA15S125P备选型号: FGA25S125P
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- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- HTS代码
- 最大功率耗散
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 元素配置
- 功率耗散
- 输入类型
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 电压 - 集射极击穿(最大值)
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- 关断时间-标准值(toff)
- IGBT类型
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- 高度
- 长度
- 宽度
- RoHS状态
- 无铅
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- Trans IGBT Chip N-CH 1.25KV 30A 3-Pin(3 Tab) TO-3PN TubeACTIVE (Last Updated: 3 days ago)4 Weeks通孔通孔TO-3P-3, SC-65-336.401gSILICON1.25kV2.72V-55°C~175°C TJTube2013e3yes活跃1 (Unlimited)3EAR99Tin (Sn)8541.29.00.95136W未说明未说明Single136WStandard电源控制N-CHANNEL1.25kV30A1250V331 ns2.72V @ 15V, 15A670 nsTrench129nC45A25V7.5V20.1mm15.8mm5mmROHS3 Compliant无铅--
- IGBT Transistors Shorted Anode IGBT--通孔通孔TO-3P-3, SC-65-336.401g-1.25kV2.16V-Tube2013-yesObsolete1 (Unlimited)3---250W未说明未说明Single-Standard电源控制N-CHANNEL1.25kV50A1250V-2.35V @ 15V, 25A-沟渠现场停车204nC75A--20.1mm15.8mm5mm符合RoHS标准-175°C-55°C
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | STGF3NC120HD | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-220-3 Full Pack | STMICROELECTRONICS - STGF3NC120HD - IGBT, N 1200V 3A TO-220FP | 对比 |
| HGTP10N120BN | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-220-3 | Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 35A 3-Pin(3 Tab) TO-220AB Rail | 对比 | |
| FGA25S125P | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-3P-3, SC-65-3 | IGBT Transistors Shorted Anode IGBT | 对比 |




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