ON Semiconductor FGA25S125P

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-3P-3, SC-65-3

引脚数

3

质量

6.401g

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1.25kV

Collector-Emitter Saturation Voltage

2.16V

Number of Elements

1

包装

Tube

已出版

2013

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

最高工作温度

175°C

最小工作温度

-55°C

最大功率耗散

250W

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

元素配置

Single

输入类型

Standard

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

1.25kV

最大集电极电流

50A

电压 - 集射极击穿（最大值）

1250V

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.35V @ 15V, 25A

IGBT类型

沟渠现场停车

闸门收费

204nC

集极脉冲电流（Icm）

75A

高度

20.1mm

长度

15.8mm

宽度

5mm

RoHS状态

符合RoHS标准