FGA180N30DTU备选型号: FGA90N30DTU
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- 零件状态
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- 最高工作温度
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- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 额定电流
- 元素配置
- 功率耗散
- 输入类型
- 功率 - 最大
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 反向恢复时间
- 电压 - 集射极击穿(最大值)
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- RoHS状态
- 无铅
- 上升时间
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- IGBT 300V 180A 480W TO3P通孔通孔TO-3P-3, SC-65-33TO-3P300V1.9V-55°C~150°C TJTubeObsolete1 (Unlimited)150°C-55°C300V480W10ASingle480WStandard480W300V180A21 ns300V1.4V @ 15V, 40A185nC450A符合RoHS标准无铅---
- FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FGA90N30DTU IGBT Single Transistor, 90 A, 1.4 V, 219 W, 300 V, TO-3P, 3 Pins通孔通孔TO-3P-3, SC-65-33TO-3P300V1.9V-55°C~150°C TJTubeObsolete1 (Unlimited)150°C-55°C300V219W10ASingle219WStandard219W300V90A21 ns300V1.4V @ 15V, 20A87nC220A符合RoHS标准无铅200ns无SVHC无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FGA90N30DTU | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-3P-3, SC-65-3 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FGA90N30DTU IGBT Single Transistor, 90 A, 1.4 V, 219 W, 300 V, TO-3P, 3 Pins | 对比 |
![]() | FGA90N30TU | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-3P-3, SC-65-3 | IGBT 300V 90A 219W TO3P | 对比 |
![]() | IXGQ150N30TCD1 | IXYS | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-3P-3, SC-65-3 | IGBT 300V 150A TO3P | 对比 |




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