ON Semiconductor FGA90N30DTU
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FGA90N30DTU
1807-FGA90N30DTU
晶体管 - IGBT - 单个
TO-3P-3, SC-65-3
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FGA90N30DTU IGBT Single Transistor, 90 A, 1.4 V, 219 W, 300 V, TO-3P, 3 Pins
--最小包装量--
FGA90N30DTU详情
ON Semiconductor FGA90N30DTU重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-3P-3, SC-65-3
引脚数
3
供应商器件包装
TO-3P
Collector-Emitter Breakdown Voltage
300V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.9V
Current-Collector (Ic) (Max)
90A
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
电压 - 额定直流
300V
最大功率耗散
219W
额定电流
10A
元素配置
Single
功率耗散
219W
输入类型
Standard
功率 - 最大
219W
上升时间
200ns
集电极发射器电压(VCEO)
300V
最大集电极电流
90A
反向恢复时间
21 ns
电压 - 集射极击穿(最大值)
300V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
1.4V @ 15V, 20A
闸门收费
87nC
集极脉冲电流(Icm)
220A
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
FGA90N30DTU拓展信息
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