FGA20S125P备选型号: FGA25S125P
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- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 电压 - 集射极击穿(最大值)
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- IGBT类型
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
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- 终止次数
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 晶体管应用
- 高度
- 长度
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- IGBT Transistors 2.5A Output Current GateDrive Optocopler通孔通孔TO-3P-3, SC-65-336.401g1.25kV2.44VTube2016yesObsolete1 (Unlimited)175°C-55°C250WSingleStandardN-CHANNEL1.25kV40A1250V2.5V @ 15V, 20A沟渠现场停车129nC60A25V7.5V无符合RoHS标准无铅-------
- IGBT Transistors Shorted Anode IGBT通孔通孔TO-3P-3, SC-65-336.401g1.25kV2.16VTube2013yesObsolete1 (Unlimited)175°C-55°C250WSingleStandardN-CHANNEL1.25kV50A1250V2.35V @ 15V, 25A沟渠现场停车204nC75A---符合RoHS标准-3未说明未说明电源控制20.1mm15.8mm5mm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FGA15S125P | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-3P-3, SC-65-3 | Trans IGBT Chip N-CH 1.25KV 30A 3-Pin(3 Tab) TO-3PN Tube | 对比 |
| FGA20S140P | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-3P-3, SC-65-3 | Trans IGBT Chip N=-CH 1400V 40A 272000mW 3-Pin(3 Tab) TO-3PN Tube | 对比 | |
| FGA25S125P | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-3P-3, SC-65-3 | IGBT Transistors Shorted Anode IGBT | 对比 |



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