FGA25N120FTD备选型号: NGTB25N120SWG

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  • 描述:
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 操作温度
  • 包装
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 最大功率耗散
  • 元素配置
  • 输入类型
  • 接通延迟时间
  • 功率 - 最大
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 反向恢复时间
  • 电压 - 集射极击穿(最大值)
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
  • IGBT类型
  • 闸门收费
  • 集极脉冲电流(Icm)
  • Td(开/关)@25°C
  • 开关能量
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • ON Semiconductor
    IGBT 1200V 50A 313W TO3P
    通孔
    通孔
    TO-3P-3, SC-65-3
    3
    1.2kV
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    313W
    Single
    Standard
    48 ns
    313W
    1.2kV
    50A
    770 ns
    1200V
    2V @ 15V, 25A
    沟渠现场停车
    160nC
    75A
    48ns/210ns
    340μJ (on), 900μJ (off)
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    ON SEMICONDUCTOR NGTB25N120SWG IGBT Single Transistor, 50 A, 2 V, 385 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pins
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    1.2kV
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    385W
    Single
    Standard
    -
    385W
    2.4V
    50A
    154 ns
    1200V
    2.4V @ 15V, 25A
    Trench
    178nC
    100A
    87ns/179ns
    1.95mJ (on), 600μJ (off)
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 4 days ago)
    26 Weeks
    2V
    2014
    e3
    yes
    EAR99
    Tin (Sn)
    未说明
    未说明
    21.4mm
    16.25mm
    5.3mm
    无SVHC
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