ON Semiconductor FGA25N120FTD

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-3P-3, SC-65-3

引脚数

3

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1.2kV

Test Conditions

600V, 25A, 15 Ω, 15V

Turn Off Delay Time

210 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最大功率耗散

313W

元素配置

Single

输入类型

Standard

接通延迟时间

48 ns

功率 - 最大

313W

集电极发射器电压(VCEO)

1.2kV

最大集电极电流

50A

反向恢复时间

770 ns

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200V

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2V @ 15V, 25A

IGBT类型

沟渠现场停车

闸门收费

160nC

集极脉冲电流（Icm）

75A

Td（开/关）@25°C

48ns/210ns

开关能量

340μJ (on), 900μJ (off)

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅