FGA30T65SHD备选型号: STGP30H65F
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- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 质量
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- HTS代码
- 最大功率耗散
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 输入类型
- 功率 - 最大
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 反向恢复时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- IGBT类型
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- Td(开/关)@25°C
- 开关能量
- RoHS状态
- 引脚数
- 基本部件号
- 元素配置
- 高度
- 长度
- 宽度
- 无铅
- IGBT 650V 60A 238W TO-3PNACTIVE (Last Updated: 3 days ago)5 Weeks通孔通孔TO-3P-3, SC-65-36.401g650V2.14V-55°C~175°C TJTube2016e3yes活跃1 (Unlimited)EAR99Tin (Sn)8541.29.00.95238W未说明未说明Standard238W2.1V60A31.8 ns2.1V @ 15V, 30A沟渠现场停车54.7nC90A14.4ns/52.8ns598μJ (on), 167μJ (off)ROHS3 Compliant-------
- IGBT 650V 60A 260W TO-220AB-52 Weeks通孔通孔TO-220-36.000006g650V2.4V-55°C~175°C TJTube---活跃不适用EAR99--260W未说明未说明Standard260W650V60A-2.4V @ 15V, 30A沟渠现场停车105nC120A50ns/160ns350μJ (on), 400μJ (off)ROHS3 Compliant3STGP30Single20.15mm15.75mm5.15mm无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | STGFW30H65FB | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-3PFM, SC-93-3 | IGBT 650V 60A 58W TO3PF | 对比 |
![]() | STGP30M65DF2 | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-220-3 | STMICROELECTRONICS STGP30M65DF2 IGBT Single Transistor, 60 A, 1.55 V, 258 W, 650 V, TO-220, 3 Pins | 对比 |
![]() | STGP30H65F | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-220-3 | IGBT 650V 60A 260W TO-220AB | 对比 |




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