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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥24.703401
10
¥23.305092
100
¥21.98594
500
¥20.741451
1000
¥19.567412
STMicroelectronics STGP30H65F
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- 对比
STGP30H65F
2381-STGP30H65F
晶体管 - IGBT - 单个
TO-220-3
大陆
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IGBT 650V 60A 260W TO-220AB
--最小包装量--
¥
总价: ¥
STGP30H65F详情
STMicroelectronics STGP30H65F重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
52 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3
引脚数
3
质量
6.000006g
Collector-Emitter Breakdown Voltage
650V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.4V
Test Conditions
400V, 30A, 10 Ω, 15V
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
不适用
ECCN 代码
EAR99
最大功率耗散
260W
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
STGP30
元素配置
Single
输入类型
Standard
功率 - 最大
260W
集电极发射器电压(VCEO)
650V
最大集电极电流
60A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.4V @ 15V, 30A
IGBT类型
沟渠现场停车
闸门收费
105nC
集极脉冲电流(Icm)
120A
Td(开/关)@25°C
50ns/160ns
开关能量
350μJ (on), 400μJ (off)
高度
20.15mm
长度
15.75mm
宽度
5.15mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
STGP30H65F拓展信息
STMicroelectronics
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