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首页 全部分类 FGA50N100BNTD2 vs IRG7PH35UDPBF

FGA50N100BNTD2备选型号: IRG7PH35UDPBF

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  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
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  • 宽度
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  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • JEDEC-95代码
  • 开关能量
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    FGA50N100BNTD2
    ON Semiconductor
    IGBT 1000V 50A 156W TO3P
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    8 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-3P-3, SC-65-3
    3
    6.401g
    SILICON
    1kV
    1.5V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2013
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    8541.29.00.95
    156W
    Single
    Standard
    156W
    电源控制
    N-CHANNEL
    1kV
    50A
    75 ns
    1000V
    102 ns
    2.9V @ 15V, 60A
    308 ns
    NPT和沟槽
    257nC
    200A
    34ns/243ns
    25V
    7V
    100ns
    20.1mm
    15.8mm
    5mm
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRG7PH35UDPBF
    Infineon Technologies
    IGBT 1200V 50A 180W TO247AC
    -
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    -
    SILICON
    1.2kV
    1.9V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2010
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    -
    180W
    Single
    Standard
    -
    电源控制
    N-CHANNEL
    2.2V
    50A
    105 ns
    1200V
    45 ns
    2.2V @ 15V, 20A
    400 ns
    Trench
    85nC
    60A
    30ns/160ns
    -
    6V
    -
    20.7mm
    15.87mm
    5.31mm
    无
    ROHS3 Compliant
    180W
    COLLECTOR
    30 ns
    TO-247AC
    1.06mJ (on), 620μJ (off)
    无SVHC
    无铅
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