ON Semiconductor FGA50N100BNTD2

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)

工厂交货时间

8 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-3P-3, SC-65-3

引脚数

3

质量

6.401g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1kV

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.5V

Number of Elements

1

Test Conditions

600V, 60A, 10 Ω, 15V

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

2013

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

HTS代码

8541.29.00.95

最大功率耗散

156W

元素配置

Single

输入类型

Standard

功率 - 最大

156W

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

1kV

最大集电极电流

50A

反向恢复时间

75 ns

电压 - 集射极击穿（最大值）

1000V

接通时间

102 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.9V @ 15V, 60A

关断时间-标准值（toff)

308 ns

IGBT类型

NPT和沟槽

闸门收费

257nC

集极脉冲电流（Icm）

200A

Td（开/关）@25°C

34ns/243ns

栅极-发射极电压-最大值

25V

栅极-发射极Thr电压-最大值

7V

最大下降时间 (tf)

100ns

高度

20.1mm

长度

15.8mm

宽度

5mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant