FGB40N6S2备选型号: HGT1S7N60A4DS
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- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
- 包装
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 额定电流
- 基本部件号
- 元素配置
- 功率耗散
- 输入类型
- 功率 - 最大
- 上升时间
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 电压 - 集射极击穿(最大值)
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- Td(开/关)@25°C
- 开关能量
- RoHS状态
- 无铅
- 反向恢复时间
- IGBT 600V 75A 290W TO263AB表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3TO-263AB600V1.9V-55°C~150°C TJTubeObsolete1 (Unlimited)150°C-55°C600V290W75AFGB40N6Single290WStandard290W10ns600V75A600V2.7V @ 15V, 20A35nC180A8ns/35ns115μJ (on), 195μJ (off)符合RoHS标准无铅-
- IGBT 600V 34A 125W TO263AB表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3-600V1.9V-55°C~150°C TJTubeObsolete1 (Unlimited)---125W--Single125WStandard--600V34A-2.7V @ 15V, 7A37nC56A11ns/100ns55μJ (on), 60μJ (off)符合RoHS标准-22 ns
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | HGT1S7N60A4DS | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | IGBT 600V 34A 125W TO263AB | 对比 |
![]() | IRG4BC30FD-SPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | IGBT 600V 31A 100W D2PAK | 对比 |
![]() | IRGS15B60KDPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | IGBT 600V 31A 208W D2PAK | 对比 |




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