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首页 全部分类 FGB40N6S2 vs IRG4BC30FD-SPBF

FGB40N6S2备选型号: IRG4BC30FD-SPBF

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  • 箱体转运
  • 晶体管应用
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  • 反向恢复时间
  • 接通时间
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  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 宽度
  • 长度
  • 高度
  • 辐射硬化
  • 达到SVHC
  • ON Semiconductor
    FGB40N6S2
    ON Semiconductor
    IGBT 600V 75A 290W TO263AB
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    TO-263AB
    600V
    1.9V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    600V
    290W
    75A
    FGB40N6
    Single
    290W
    Standard
    290W
    10ns
    600V
    75A
    600V
    2.7V @ 15V, 20A
    35nC
    180A
    8ns/35ns
    115μJ (on), 195μJ (off)
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRG4BC30FD-SPBF
    Infineon Technologies
    IGBT 600V 31A 100W D2PAK
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    -
    480V, 17A, 23 Ω, 15V
    1.8V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    最后一次购买
    1 (Unlimited)
    -
    -
    600V
    100W
    31A
    -
    Single
    100W
    Standard
    -
    27ns
    1.8V
    31A
    -
    1.8V @ 15V, 17A
    51nC
    124A
    42ns/230ns
    630μJ (on), 1.39mJ (off)
    ROHS3 Compliant
    无铅
    13 Weeks
    SILICON
    2010
    e3
    2
    EAR99
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    鸥翼
    260
    30
    R-PSSO-G2
    COLLECTOR
    电源控制
    N-CHANNEL
    42 ns
    69 ns
    620 ns
    20V
    6V
    9.652mm
    10.668mm
    4.699mm
    无
    无SVHC
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