FGD5T120SH备选型号: IRG4RC10KDTRPBF
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- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- HTS代码
- 最大功率耗散
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 输入类型
- 功率 - 最大
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 电压 - 集射极击穿(最大值)
- 最大击穿电压
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- IGBT类型
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- Td(开/关)@25°C
- 开关能量
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 晶体管元件材料
- 终止次数
- 终端
- 附加功能
- 终端形式
- 基本部件号
- JESD-30代码
- 元素配置
- 功率耗散
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 上升时间
- 极性/通道类型
- 反向恢复时间
- JEDEC-95代码
- 接通时间
- 关断时间-标准值(toff)
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- 最大下降时间 (tf)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- 无铅
- IGBT 1200V 5A FS3 DPAKACTIVE (Last Updated: 4 days ago)6 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633260.37mg1.2kV2.9V-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2012e3yes活跃1 (Unlimited)EAR99Tin (Sn)8541.29.00.9569W245not_compliant未说明Standard69W3.6V10A1200V1.2kV3.6V @ 15V, 5A沟渠现场停车6.7nC12.5A4.8ns/24.8ns247μJ (on), 94μJ (off)无SVHCROHS3 Compliant-------------------------
- IGBT 600V 9A 38W DPAK-13 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633350.003213mg600V2.39V-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2004e3-最后一次购买1 (Unlimited)EAR99Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier-38W260-30Standard-2.62V9A-600V2.62V @ 15V, 5A-19nC18A49ns/97ns250μJ (on), 140μJ (off)无SVHCROHS3 CompliantSILICON2SMD/SMT超快软恢复鸥翼IRG4RC10KDPBFR-PSSO-G2Single38WCOLLECTORMOTOR CONTROL24nsN-CHANNEL28 nsTO-252AA78 ns410 ns20V6.5V210ns1.2446mm6.7056mm6.223mm无无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRG4RC10KDTRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | IGBT 600V 9A 38W DPAK | 对比 |
![]() | SGD02N120BUMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | IGBT 1200V 6.2A 62W TO252-3 | 对比 |
![]() | IGD01N120H2BUMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | IGBT 1200V 3.2A 28W TO252-3 | 对比 |




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