ON Semiconductor FGD5T120SH
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FGD5T120SH
1807-FGD5T120SH
晶体管 - IGBT - 单个
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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IGBT 1200V 5A FS3 DPAK
--最小包装量--
FGD5T120SH详情
ON Semiconductor FGD5T120SH重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
工厂交货时间
6 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
引脚数
3
质量
260.37mg
Collector-Emitter Breakdown Voltage
1.2kV
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.9V
Test Conditions
600V, 5A, 30 Ω, 15V
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2012
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
HTS代码
8541.29.00.95
最大功率耗散
69W
峰值回流焊温度(摄氏度)
245
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
输入类型
Standard
功率 - 最大
69W
集电极发射器电压(VCEO)
3.6V
最大集电极电流
10A
电压 - 集射极击穿(最大值)
1200V
最大击穿电压
1.2kV
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
3.6V @ 15V, 5A
IGBT类型
沟渠现场停车
闸门收费
6.7nC
集极脉冲电流(Icm)
12.5A
Td(开/关)@25°C
4.8ns/24.8ns
开关能量
247μJ (on), 94μJ (off)
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
FGD5T120SH拓展信息
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