FGD5T120SH
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ON Semiconductor FGD5T120SH

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型号

FGD5T120SH

utmel 编号

1807-FGD5T120SH

商品类别

晶体管 - IGBT - 单个

封装

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

IGBT 1200V 5A FS3 DPAK

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FGD5T120SH
FGD5T120SH ON Semiconductor IGBT 1200V 5A FS3 DPAK

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FGD5T120SH详情

ON Semiconductor FGD5T120SH重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)

  • 工厂交货时间

    6 Weeks

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

  • 引脚数

    3

  • 质量

    260.37mg

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    1.2kV

  • Collector-Emitter Saturation Voltage

    2.9V

  • Test Conditions

    600V, 5A, 30 Ω, 15V

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2012

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin (Sn)

  • HTS代码

    8541.29.00.95

  • 最大功率耗散

    69W

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    245

  • Reach合规守则

    not_compliant

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    未说明

  • 输入类型

    Standard

  • 功率 - 最大

    69W

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    3.6V

  • 最大集电极电流

    10A

  • 电压 - 集射极击穿(最大值)

    1200V

  • 最大击穿电压

    1.2kV

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)

    3.6V @ 15V, 5A

  • IGBT类型

    沟渠现场停车

  • 闸门收费

    6.7nC

  • 集极脉冲电流(Icm)

    12.5A

  • Td(开/关)@25°C

    4.8ns/24.8ns

  • 开关能量

    247μJ (on), 94μJ (off)

  • 达到SVHC

    无SVHC

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

0个相似型号

右边的3个型号有着和ON Semiconductor & FGD5T120SH相似的参数规格。

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FGD5T120SH拓展信息

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