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首页 全部分类 FGH40T100SMD vs NGTB40N120FL2WG

FGH40T100SMD备选型号: NGTB40N120FL2WG

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  • 开关能量
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  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 引脚数量
  • 功率 - 最大
  • 达到SVHC
  • ON Semiconductor
    FGH40T100SMD
    ON Semiconductor
    IGBT Transistors 1000V 40A Field Stop Trench IGBT
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    4 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    6.39g
    SILICON
    1kV
    2.3V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    2012
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    8541.29.00.95
    333W
    64ns
    Single
    333W
    COLLECTOR
    Standard
    电源控制
    N-CHANNEL
    1kV
    80A
    78 ns
    TO-247AB
    1000V
    76 ns
    2.3V @ 15V, 40A
    305 ns
    沟渠现场停车
    265nC
    120A
    29ns/285ns
    2.35mJ (on), 1.15mJ (off)
    20V
    6.5V
    20.82mm
    15.87mm
    4.82mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NGTB40N120FL2WG
    ON Semiconductor
    IGBT Transistors 1200V/40A FAST IGBT FSII
    ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
    13 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    6.500007g
    -
    1.2kV
    2V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    2012
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    535W
    -
    Single
    -
    -
    Standard
    -
    N-CHANNEL
    1.2kV
    80A
    240 ns
    -
    1200V
    -
    2.4V @ 15V, 40A
    -
    沟渠现场停车
    313nC
    200A
    116ns/286ns
    3.4mJ (on), 1.1mJ (off)
    20V
    6.5V
    21.4mm
    16.25mm
    5.3mm
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    3
    535W
    无SVHC
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