ON Semiconductor FGH40T100SMD

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)

工厂交货时间

4 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

引脚数

3

质量

6.39g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1kV

Collector-Emitter Saturation Voltage

2.3V

Number of Elements

1

Test Conditions

600V, 40A, 10 Ω, 15V

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

已出版

2012

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

HTS代码

8541.29.00.95

最大功率耗散

333W

上升时间-最大值

64ns

元素配置

Single

功率耗散

333W

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Standard

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

1kV

最大集电极电流

80A

反向恢复时间

78 ns

JEDEC-95代码

TO-247AB

电压 - 集射极击穿（最大值）

1000V

接通时间

76 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.3V @ 15V, 40A

关断时间-标准值（toff)

305 ns

IGBT类型

沟渠现场停车

闸门收费

265nC

集极脉冲电流（Icm）

120A

Td（开/关）@25°C

29ns/285ns

开关能量

2.35mJ (on), 1.15mJ (off)

栅极-发射极电压-最大值

20V

栅极-发射极Thr电压-最大值

6.5V

高度

20.82mm

长度

15.87mm

宽度

4.82mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅