FGH40T120SMD备选型号: HGTG27N120BN
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- 工厂交货时间
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- Collector-Emitter Saturation Voltage
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- 包装
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- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- HTS代码
- 最大功率耗散
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 元素配置
- 功率耗散
- 输入类型
- 接通延迟时间
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 反向恢复时间
- 电压 - 集射极击穿(最大值)
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- 最大结点温度(Tj)
- 连续集电极电流
- IGBT类型
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- Td(开/关)@25°C
- 开关能量
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- 宽度
- 长度
- 高度
- RoHS状态
- 晶体管元件材料
- 终止次数
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 接通时间
- 关断时间-标准值(toff)
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- 无铅
- Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 80A 3-Pin(3 Tab) TO-247 Rail4 WeeksACTIVE (Last Updated: 4 days ago)TO-247-3通孔通孔36.39g1.2kV1.8V2013Tube-55°C~175°C TJe3yes活跃1 (Unlimited)EAR99Tin (Sn)8541.29.00.95555W未说明not_compliant未说明Single555WStandard40 nsN-CHANNEL1.2kV80A65 ns1200V2.4V @ 15V, 40A175°C80A沟渠现场停车370nC160A40ns/475ns2.7mJ (on), 1.1mJ (off)25V7.5V4.82mm15.87mm24.75mmROHS3 Compliant------------
- FAIRCHILD SEMICONDUCTOR HGTG27N120BN IGBT Single Transistor, 72 A, 2.7 V, 500 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pins44 WeeksACTIVE, NOT REC (Last Updated: 2 days ago)TO-247-3通孔通孔36.39g1.2kV2.45V-Tube-55°C~150°C TJe3yes不用于新设计1 (Unlimited)EAR99Tin (Sn)8541.29.00.95500W---Single500WStandard24 nsN-CHANNEL1.2kV72A-1200V2.7V @ 15V, 27A-72ANPT270nC216A24ns/195ns2.2mJ (on), 2.3mJ (off)--4.82mm15.87mm20.82mmROHS3 CompliantSILICON3LOW CONDUCTION LOSS, AVALANCHE RATED1.2kV72ACOLLECTOR电源控制42 ns360 ns无SVHC无无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FGH40T100SMD | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT Transistors 1000V 40A Field Stop Trench IGBT | 对比 | |
| NGTB40N120FL2WG | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT Transistors 1200V/40A FAST IGBT FSII | 对比 | |
![]() | IHW40N120R3FKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT 1200V 80A 429W TO247-3 | 对比 |




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