FGH50N3备选型号: IGW50N65F5FKSA1

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  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
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  • 晶体管元件材料
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
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  • 附加功能
  • HTS代码
  • 电压 - 额定直流
  • 最大功率耗散
  • 额定电流
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 输入类型
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • 极性/通道类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 接通时间
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
  • 关断时间-标准值(toff)
  • IGBT类型
  • 闸门收费
  • 集极脉冲电流(Icm)
  • Td(开/关)@25°C
  • 开关能量
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 系列
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 达到SVHC
  • ON Semiconductor
    Trans IGBT Chip N-CH 300V 75A 3-Pin(3 Tab) TO-247 Rail
    ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
    4 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    6.39g
    SILICON
    300V
    1.3V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2002
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    低导通损耗
    8541.29.00.95
    300V
    463W
    75A
    Single
    463W
    COLLECTOR
    Standard
    20 ns
    电源控制
    15ns
    N-CHANNEL
    300V
    75A
    32 ns
    1.4V @ 15V, 30A
    162 ns
    PT
    180nC
    240A
    20ns/135ns
    130μJ (on), 92μJ (off)
    20V
    5.5V
    20.82mm
    15.87mm
    4.82mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
    -
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    -
    -
    650V
    1.6V
    -40°C~175°C TJ
    Tube
    2008
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    -
    -
    305W
    -
    Single
    305W
    -
    Standard
    -
    -
    -
    -
    1.6V
    80A
    -
    2.1V @ 15V, 50A
    -
    -
    120nC
    150A
    21ns/175ns
    490μJ (on), 160μJ (off)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    TrenchStop®
    未说明
    未说明
    Unknown
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