ON Semiconductor FGH50N3

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)

工厂交货时间

4 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

引脚数

3

质量

6.39g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

300V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.3V

Number of Elements

1

Test Conditions

180V, 30A, 5 Ω, 15V

Turn Off Delay Time

135 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

2002

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

低导通损耗

HTS代码

8541.29.00.95

电压 - 额定直流

300V

最大功率耗散

463W

额定电流

75A

元素配置

Single

功率耗散

463W

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Standard

接通延迟时间

20 ns

晶体管应用

电源控制

上升时间

15ns

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

300V

最大集电极电流

75A

接通时间

32 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

1.4V @ 15V, 30A

关断时间-标准值（toff)

162 ns

IGBT类型

PT

闸门收费

180nC

集极脉冲电流（Icm）

240A

Td（开/关）@25°C

20ns/135ns

开关能量

130μJ (on), 92μJ (off)

栅极-发射极电压-最大值

20V

栅极-发射极Thr电压-最大值

5.5V

高度

20.82mm

长度

15.87mm

宽度

4.82mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅