FGH75N60UFTU备选型号: FGH40N60UFDTU
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
- 包装
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- HTS代码
- 最大功率耗散
- 元素配置
- 输入类型
- 功率 - 最大
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- IGBT类型
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- Td(开/关)@25°C
- 开关能量
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- 最大下降时间 (tf)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 晶体管元件材料
- 已出版
- 终止次数
- 附加功能
- 基本部件号
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 反向恢复时间
- JEDEC-95代码
- 接通时间
- 关断时间-标准值(toff)
- FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FGH75N60UFTU IGBT Single Transistor, General Purpose, 150 A, 600 V, 452 W, 600 V, TO-247AB, 3 PinsACTIVE (Last Updated: 5 days ago)4 Weeks通孔通孔TO-247-336.39g600V600V-55°C~150°C TJTubee3yes活跃1 (Unlimited)EAR99Tin (Sn)8541.29.00.95452WSingleStandard452WN-CHANNEL600V150A2.4V @ 15V, 75A场站250nC225A27ns/128ns3.05mJ (on), 1.35mJ (off)20V6.5V80ns20.6mm15.6mm4.7mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅------------
- FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FGH40N60UFDTU IGBT Single Transistor, General Purpose, 80 A, 600 V, 290 W, 600 V, TO-247AB, 3 PinsACTIVE (Last Updated: 4 days ago)8 Weeks通孔通孔TO-247-336.39g600V600V-55°C~150°C TJTubee3yes活跃1 (Unlimited)EAR99Tin (Sn)8541.29.00.95290WSingleStandard290WN-CHANNEL600V80A2.4V @ 15V, 40A场站120nC120A24ns/112ns1.19mJ (on), 460μJ (off)20V6.5V100ns20.6mm15.6mm4.7mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅SILICON20093低导通损耗FGH40N60COLLECTOR24 ns电源控制45 nsTO-247AB110 ns190 ns
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | APT50GT60BRG | Microsemi Corporation | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT 600V 110A 446W TO247 | 对比 |
| FGH40N60UFDTU | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FGH40N60UFDTU IGBT Single Transistor, General Purpose, 80 A, 600 V, 290 W, 600 V, TO-247AB, 3 Pins | 对比 | |
| FGH80N60FDTU | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT 600V 80A 290W TO247 | 对比 |



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