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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥89.022104
10
¥83.983116
100
¥79.229356
500
¥74.744671
1000
¥70.513844
ON Semiconductor FGH75N60UFTU
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- 对比
FGH75N60UFTU
1807-FGH75N60UFTU
晶体管 - IGBT - 单个
TO-247-3
大陆
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FGH75N60UFTU IGBT Single Transistor, General Purpose, 150 A, 600 V, 452 W, 600 V, TO-247AB, 3 Pins
--最小包装量--
¥
总价: ¥
FGH75N60UFTU详情
ON Semiconductor FGH75N60UFTU重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
工厂交货时间
4 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-247-3
引脚数
3
质量
6.39g
Collector-Emitter Breakdown Voltage
600V
Collector-Emitter Saturation Voltage
600V
Test Conditions
400V, 75A, 3 Ω, 15V
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
HTS代码
8541.29.00.95
最大功率耗散
452W
元素配置
Single
输入类型
Standard
功率 - 最大
452W
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极发射器电压(VCEO)
600V
最大集电极电流
150A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.4V @ 15V, 75A
IGBT类型
场站
闸门收费
250nC
集极脉冲电流(Icm)
225A
Td(开/关)@25°C
27ns/128ns
开关能量
3.05mJ (on), 1.35mJ (off)
栅极-发射极电压-最大值
20V
栅极-发射极Thr电压-最大值
6.5V
最大下降时间 (tf)
80ns
高度
20.6mm
长度
15.6mm
宽度
4.7mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
FGH75N60UFTU拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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