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首页 全部分类 FGH75T65SHDTL4 vs STGW50HF60SD

FGH75T65SHDTL4备选型号: STGW50HF60SD

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  • 终止次数
  • 基本部件号
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 晶体管应用
  • 极性/通道类型
  • 接通时间
  • 关断时间-标准值（toff)
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    FGH75T65SHDTL4
    ON Semiconductor
    IGBT Transistors FS3 TIGBT Excellent switching performan
    ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
    4 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-4
    4
    6.289g
    650V
    1.6V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin (Sn)
    455W
    未说明
    未说明
    Standard
    455W
    2.1V
    150A
    76 ns
    2.1V @ 15V, 75A
    场站
    126nC
    300A
    55ns/189ns
    1.06mJ (on), 1.56mJ (off)
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STGW50HF60SD
    STMicroelectronics
    STMICROELECTRONICS STGW50HF60SD IGBT Single Transistor, 110 A, 600 V, 284 W, 600 V, TO-247, 3 Pins
    -
    -
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    -
    600V
    1.15V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    e3
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin (Sn)
    284W
    -
    -
    Standard
    -
    600V
    110A
    67 ns
    1.45V @ 15V, 30A
    -
    200nC
    130A
    50ns/220ns
    250μJ (on), 4.2mJ (off)
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    SILICON
    3
    STGW50
    Single
    284W
    电源控制
    N-CHANNEL
    69 ns
    950 ns
    20V
    5.7V
    无
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