FGP20N60UFDTU备选型号: STGP20V60F

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • HTS代码
  • 最大功率耗散
  • 元素配置
  • 输入类型
  • 接通延迟时间
  • 功率 - 最大
  • 晶体管应用
  • 极性/通道类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 反向恢复时间
  • JEDEC-95代码
  • 接通时间
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
  • 关断时间-标准值(toff)
  • IGBT类型
  • 闸门收费
  • 集极脉冲电流(Icm)
  • Td(开/关)@25°C
  • 开关能量
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 最大下降时间 (tf)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 基本部件号
  • 功率耗散
  • ON Semiconductor
    IGBT 600V 40A 165W TO220
    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
    16 Weeks
    Tin
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    1.8g
    SILICON
    600V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2008
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    8541.29.00.95
    165W
    Single
    Standard
    13 ns
    165W
    电源控制
    N-CHANNEL
    600V
    40A
    35 ns
    TO-220AB
    29 ns
    2.4V @ 15V, 20A
    155 ns
    场站
    63nC
    60A
    13ns/87ns
    380μJ (on), 260μJ (off)
    20V
    6.5V
    64ns
    16.51mm
    10.67mm
    4.83mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    IGBT Transistors 600V 20A Hi Spd TrenchGate FieldStop
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    20 Weeks
    -
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    -
    -
    600V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    -
    167W
    Single
    Standard
    -
    -
    -
    -
    600V
    40A
    -
    -
    -
    2.2V @ 15V, 20A
    -
    沟渠现场停车
    116nC
    80A
    38ns/149ns
    200μJ (on), 130μJ (off)
    -
    -
    -
    15.75mm
    10.4mm
    4.6mm
    ROHS3 Compliant
    -
    2.2V
    STGP20
    167W
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