ON Semiconductor FGP20N60UFDTU

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)

工厂交货时间

16 Weeks

触点镀层

Tin

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

质量

1.8g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600V

Number of Elements

1

Test Conditions

400V, 20A, 10 Ω, 15V

Turn Off Delay Time

87 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

2008

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

HTS代码

8541.29.00.95

最大功率耗散

165W

元素配置

Single

输入类型

Standard

接通延迟时间

13 ns

功率 - 最大

165W

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

600V

最大集电极电流

40A

反向恢复时间

35 ns

JEDEC-95代码

TO-220AB

接通时间

29 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.4V @ 15V, 20A

关断时间-标准值（toff)

155 ns

IGBT类型

场站

闸门收费

63nC

集极脉冲电流（Icm）

60A

Td（开/关）@25°C

13ns/87ns

开关能量

380μJ (on), 260μJ (off)

栅极-发射极电压-最大值

20V

栅极-发射极Thr电压-最大值

6.5V

最大下降时间 (tf)

64ns

高度

16.51mm

长度

10.67mm

宽度

4.83mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅