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首页 全部分类 FGY75N60SMD vs IGW75N60TFKSA1

FGY75N60SMD备选型号: IGW75N60TFKSA1

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  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
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  • 引脚数量
  • JESD-30代码
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  • 配置
  • 箱体转运
  • JEDEC-95代码
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
  • ON Semiconductor
    FGY75N60SMD
    ON Semiconductor
    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FGY75N60SMDIGBT Single Transistor, 150 A, 1.9 V, 750 W, 600 V, Power 247, 3 Pins
    ACTIVE (Last Updated: 8 hours ago)
    6 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3 Variant
    3
    7.629g
    SILICON
    600V
    1.9V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    2010
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    低导通损耗
    8541.29.00.95
    750W
    Single
    Standard
    750W
    电源控制
    N-CHANNEL
    600V
    150A
    55 ns
    76 ns
    2.5V @ 15V, 75A
    161 ns
    场站
    248nC
    225A
    24ns/136ns
    2.3mJ (on), 770μJ (off)
    20V
    6.5V
    29ns
    20.32mm
    15.87mm
    4.82mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IGW75N60TFKSA1
    Infineon Technologies
    IGBT 600V 150A 428W TO247-3
    -
    16 Weeks
    -
    通孔
    TO-247-3
    -
    -
    SILICON
    400V, 75A, 5 Ω, 15V
    -
    -40°C~175°C TJ
    Tube
    2008
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    -
    -
    -
    Standard
    428W
    电源控制
    N-CHANNEL
    -
    -
    -
    69 ns
    2V @ 15V, 75A
    401 ns
    沟渠现场停车
    470nC
    225A
    33ns/330ns
    4.5mJ
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    NO
    TrenchStop®
    SINGLE
    未说明
    未说明
    3
    R-PSFM-T3
    不合格
    SINGLE
    COLLECTOR
    TO-247AD
    600V
  • 添加型号
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