FJBE2150DTU备选型号: NJVMJD45H11G
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- 晶体管元件材料
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- JESD-609代码
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
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- 端子表面处理
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- 最大功率耗散
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- JESD-30代码
- 元素配置
- 箱体转运
- 功率 - 最大
- 晶体管应用
- 增益带宽积
- 极性/通道类型
- 晶体管类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
- 最大集极截止电流
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 转换频率
- 集电极基极电压(VCBO)
- 发射极基极电压 (VEBO)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 参考标准
- 配置
- 频率转换
- Bipolar Transistors - BJT ESBC Rated NPN Silicon Transistor6 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB31.88gSILICON800V250mV-55°C~125°C TJTubeESBC™2015e3yesObsolete1 (Unlimited)2EAR99Tin (Sn)8541.29.00.95110W鸥翼R-PSSO-G2SingleCOLLECTOR110WSWITCHING5MHzNPNNPN800V2A20 @ 400mA 3V100μA250mV @ 330mA, 1A20V5MHz1.5kV12V4.83mm10.67mm9.85mm无符合RoHS标准无铅---------
- TRANS PNP 50V 8A DPAK-48 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633-SILICON50V--55°C~150°C TJTube-2006e3yes活跃1 (Unlimited)2EAR99Tin (Sn)-1.75W鸥翼R-PSSO-G2-COLLECTOR1.75WSWITCHING-PNPPNP1V8A40 @ 4A 1V1μA1V @ 400mA, 8A-90MHz------ROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)SINGLE未说明not_compliant未说明3AEC-Q101SINGLE90MHz
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | NJVMJD45H11G | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TRANS PNP 50V 8A DPAK-4 | 对比 |




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