ON Semiconductor FJBE2150DTU

工厂交货时间

6 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

引脚数

3

质量

1.88g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

800V

Collector-Emitter Saturation Voltage

250mV

Number of Elements

1

hFEMin

20

操作温度

-55°C~125°C TJ

包装

Tube

系列

ESBC™

已出版

2015

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

HTS代码

8541.29.00.95

最大功率耗散

110W

终端形式

鸥翼

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

110W

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

5MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

800V

最大集电极电流

2A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

20 @ 400mA 3V

最大集极截止电流

100μA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

250mV @ 330mA, 1A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

转换频率

5MHz

集电极基极电压(VCBO)

1.5kV

发射极基极电压 (VEBO)

12V

高度

4.83mm

长度

10.67mm

宽度

9.85mm

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅