FJV3106RMTF备选型号: FJV4101RMTF
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- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
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- 发射极基极电压 (VEBO)
- 电阻基(R1)
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- RoHS状态
- 无铅
- 质量
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- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- HTS代码
- 端子位置
- 终端形式
- 基本部件号
- 晶体管应用
- 转换频率
- 最大击穿电压
- 集电极基极电压(VCBO)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-3350VTape & Reel (TR)2002Obsolete1 (Unlimited)150°C-55°C50V200mW100mANPNSingle200mWNPN - Pre-Biased50V100mA68 @ 5mA 5V100nA ICBO300mV @ 500μA, 10mA250MHz10V10 k Ω100mA47 k Ω符合RoHS标准无铅--------------------
- Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin SOT-23 T/R表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-3350VTape & Reel (TR)2013Obsolete1 (Unlimited)150°C-55°C-50V200mW-100mAPNPSingle200mWPNP - Pre-Biased50V100mA20 @ 10mA 5V100nA ICBO300mV @ 500μA, 10mA200MHz-10V4.7 k Ω-100mA4.7 k Ω符合RoHS标准无铅30mg-300mVe3yes3EAR99Tin (Sn)BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 18541.21.00.95DUAL鸥翼FJV4101SWITCHING200MHz50V-50V930μm2.92mm1.3mm无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FJV4101RMTF | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin SOT-23 T/R | 对比 |
![]() | FJV3109RMTF | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 | 对比 |
![]() | FJV4109RMTF | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 | 对比 |



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