ON Semiconductor FJV4109RMTF
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FJV4109RMTF
1807-FJV4109RMTF
晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
1最小包装量--
FJV4109RMTF详情
ON Semiconductor FJV4109RMTF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
引脚数
3
Collector-Emitter Breakdown Voltage
40V
hFEMin
100
包装
Tape & Reel (TR)
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
电压 - 额定直流
-40V
最大功率耗散
200mW
额定电流
-100mA
极性
PNP
元素配置
Single
功率耗散
200mW
晶体管类型
PNP - Pre-Biased
集电极发射器电压(VCEO)
40V
最大集电极电流
100mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
100 @ 1mA 5V
最大集极截止电流
100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
300mV @ 1mA, 10mA
频率转换
200MHz
发射极基极电压 (VEBO)
-5V
电阻基(R1)
4.7 k Ω
连续集电极电流
-100mA
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
FJV4109RMTF拓展信息
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