FK3506010L备选型号: DMN2020LSN-7
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 栅源电压
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 无铅
- 质量
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 资历状况
- 通道数量
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 下降时间(典型值)
- 漏极-源极导通最大电阻
- DS 击穿电压-最小值
- 宽度
- 长度
- 高度
- FK3506010L Series N-Channel 60 V 12 Ohm Silicon SMT MOSFET - SC-8510 Weeks表面贴装表面贴装SC-8585SILICON100mA Ta1.5V @ 1μA150°C TJTape & Reel (TR)2016活跃1 (Unlimited)3EAR9912OhmDUALFLAT未说明未说明R-PDSO-F3Single增强型MOSFETN-ChannelSWITCHING12 Ω @ 10mA, 4V12pF @ 3V±12V100mA1.2V12V0.1A60V1.2 V无SVHC符合RoHS标准无铅------------------
- MOSFET N-CH 20V 6.9A SC5916 Weeks表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-33SILICON6.9A Ta1.5V @ 250μA-55°C~150°C TJCut Tape (CT)2011活跃1 (Unlimited)3EAR99-DUAL鸥翼26040-Single增强型MOSFETN-ChannelSWITCHING20m Ω @ 9.4A, 4.5V1149pF @ 10V±12V6.9A1V12V---无SVHCROHS3 Compliant无铅7.994566mge3yesMatte Tin (Sn)HIGH RELIABILITY不合格1610mW11.67 ns11.6nC @ 4.5V12.49ns20V12.33 ns0.02Ohm20V1.7mm3.1mm1.3mm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FDG6317NZ | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | PowerTrench® MOSFET, Dual 20V N-Channel, 0.7 A, 400 mO | 对比 |
| FDY301NZ | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | SC-89, SOT-490 | MOSFET N-CH 20V 200MA SC-89 | 对比 | |
![]() | DMN2020LSN-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 20V 6.9A SC59 | 对比 |





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