FM22L16-55-TG备选型号: CY14B104LA-ZS45XI
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- HTS代码
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- 电源电压
- 端子间距
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- 工作电源电压
- 电源电压-最大值(Vsup)
- 电源电压-最小值(Vsup)
- 内存大小
- 电源电流
- 内存格式
- 内存接口
- 数据总线宽度
- 组织结构
- 写入周期时间 - 字符、页面
- 密度
- 待机电流-最大值
- 访问时间(最大)
- 字长
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 内存宽度
- 座位高度(最大)
- IC, FRAM, 4MB, 55NS, TSOP-44; Memory Size:4Mbit; NVRAM Memory Configuration:512K x 8bit; Supply Voltage Min:2.7V; Supply Voltage Max:3.6V; Memory Case Style:TSOP; No. of Pins:44; IC Interface Type:Parallel; Access Time:55ns ;RoHS Compliant: Yes10 WeeksTin表面贴装表面贴装44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)44Non-Volatile-40°C~85°C TATrayF-RAM™2009e4yes活跃3 (168 Hours)44EAR99Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)8542.32.00.712.7V~3.6VDUAL26013.3V0.8mm30FM22L16443.3V3.6V2.7V4Mb 256K x 1618mAFRAMParallel16b256KX16110ns4 Mb0.00027A110 ns16b1.05mm18.41mm10.16mm无ROHS3 Compliant无铅--
- IC NVSRAM 4M PARALLEL 44TSOP II6 WeeksGold, Tin表面贴装表面贴装44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)44Non-Volatile-40°C~85°C TATray-2011e4-活跃3 (168 Hours)443A991.B.2.ANickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)8542.32.00.412.7V~3.6VDUAL26013V0.8mm30CY14B104443V3.6V2.7V4Mb 512K x 852mANVSRAMParallel8b512KX845ns4 Mb0.005A45 ns8b-18.415mm-无ROHS3 Compliant无铅81.194mm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| CY14B104NA-ZS45XI | Cypress Semiconductor Corp | 存储器 | 44-TSOP (0.400, 10.16mm Width) | IC NVSRAM 4MBIT 45NS 44TSOP | 对比 | |
| IS62WV25616BLL-55TLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 44-TSOP (0.400, 10.16mm Width) | SRAM Chip Asynchronous Single 3.3 Volt 4m-Bit 256k X 16 55ns 44-Pin TSOP-II | 对比 | |
| CY14B104LA-ZS45XI | Cypress Semiconductor Corp | 存储器 | 44-TSOP (0.400, 10.16mm Width) | IC NVSRAM 4M PARALLEL 44TSOP II | 对比 |


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